номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors MOSFET N-CH 55V 4-PIN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V
-
5V400 mOhm @ 100mA, 5V2.4V @ 100µA4.3nC @ 5V10V290pF @ 28V
-
50W (Tj)-55°C ~ 225°C (TJ)Through Hole4-Power Tab4-SIP
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors MOSFET N-CH 55V 8-DIP в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V
-
5V400 mOhm @ 100mA, 5V2.4V @ 100µA4.3nC @ 5V10V290pF @ 28V
-
50W (Tj)-55°C ~ 225°C (TJ)Through Hole8-CDIP-EP8-CDIP Exposed Pad
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors MOSFET N-CH 55V 8-DIP в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V
-
5V400 mOhm @ 100mA, 5V2.4V @ 100µA4.3nC @ 5V10V290pF @ 28V
-
50W (Tj)
-
Through Hole
-
8-CDIP Exposed Pad
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors MOSFET N-CH 55V 4-PIN в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)55V
-
5V400 mOhm @ 100mA, 5V2.4V @ 100µA4.3nC @ 5V10V290pF @ 28V
-
50W (Tj)
-
Through Hole
-
-