номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораТехнологииСлив к источнику напряжения (Vdss)Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Макс.) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdЗаряд затвора (Qg) (Макс.) @ VgsVgs (Макс.)Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsФункция FETРассеиваемая мощность (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаПакет устройств поставщикаУпаковка / чехол
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V360mA (Ta)0V4 Ohm @ 200mA, 0V
-
-
±15V350pF @ 25VDepletion Mode1.1W (Ta)-55°C ~ 125°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-89-3TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 800V SOT-23 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)800V
-
0V380 Ohm @ 20mA, 0V
-
-
±15V20pF @ 25VDepletion Mode400mW (Ta)-55°C ~ 110°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 600V SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)600V
-
0V44 Ohm @ 100mA, 0V
-
-
±15V100pF @ 25VDepletion Mode1.8W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V5mA (Ta)-0.35V14 Ohm @ 50mA, 350mV
-
-
±20V
-
Depletion Mode2.5W (Ta)-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 800V SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)800V
-
0V45 Ohm @ 100mA, 0V
-
-
±15V115pF @ 25VDepletion Mode1.8W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)415V5mA (Ta)-0.35V14 Ohm @ 50mA, 350mV
-
-
±20V
-
Depletion Mode2.5W (Ta)-40°C ~ 85°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 400V SOT-89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V300mA (Ta)0V9 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
15V
-
Depletion Mode1.1W (Ta)-40°C ~ 110°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V
-
0V2.5 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
±15V230pF @ 20VDepletion Mode1.8W (Tc)125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 400V SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)400V300mA (Ta)0V9 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
15V
-
Depletion Mode2.5W (Ta)-40°C ~ 110°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V SOT89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V
-
0V10 Ohm @ 220mA, 0V
-
-
±15V350pF @ 25VDepletion Mode1.4W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 60V SOT89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V
-
0V1 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
±15V
-
Depletion Mode1.1W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V TO-243AA в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V
-
0V2.5 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
±15V230pF @ 20VDepletion Mode1.8W (Ta)125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V5mA (Ta)-0.35V14 Ohm @ 50mA, 350mV
-
-
±20V
-
Depletion Mode1.1W (Ta)-40°C ~ 110°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223 в производствеN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V5mA (Ta)-0.35V14 Ohm @ 50mA, 350mV
-
-
±20V
-
Depletion Mode2.5W (Ta)-40°C ~ 110°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-223TO-261-4, TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V360mA (Ta)0V4 Ohm @ 200mA, 0V
-
-
±15V350pF @ 25VDepletion Mode1.6W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89-3TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 60V SOT89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)60V
-
0V1 Ohm @ 300mA, 0V
-
-
±15V
-
Depletion Mode1.1W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V SOT89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)250V
-
0V10 Ohm @ 220mA, 0V
-
-
±15V350pF @ 25VDepletion Mode1.4W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V SOT89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V
-
0V14 Ohm @ 240mA, 0V
-
-
±15V100pF @ 25VDepletion Mode1.4W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V SOT89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V
-
0V22 Ohm @ 130mA, 0V
-
-
±15V350pF @ 25VDepletion Mode1.4W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA
IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 350V SOT89 устарелыйN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)350V
-
0V35 Ohm @ 140mA, 0V
-
-
±20V200pF @ 25VDepletion Mode1.6W (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-89TO-243AA