Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - BSS138P,215 PMZB290UNE2YL

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
BSS138P,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	360mA (Ta)	10V	1.6 Ohm @ 300mA, 10V	1.5V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	±20V	50pF @ 10V	-	350mW (Ta), 1.14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZB290UNE2YL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	320 mOhm @ 1.2A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.4nC @ 4.5V	±8V	46pF @ 10V	-	350mW (Ta), 5.43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006B-3	3-XFDFN
NX2301P,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2A (Ta)	2.5V, 4.5V	120 mOhm @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250µA	6nC @ 4.5V	±8V	380pF @ 6V	-	400mW (Ta), 2.8W (Tc)	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSN20BKR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	265mA (Ta)	10V	2.8 Ohm @ 200mA, 10V	1.4V @ 250µA	0.49nC @ 4.5V	±20V	20.2pF @ 30V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV45EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.1A (Ta)	4.5V, 10V	42 mOhm @ 4.1A, 10V	2V @ 250µA	6.3nC @ 10V	±20V	209pF @ 15V	-	510mW (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSH203,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	470mA (Ta)	1.8V, 4.5V	900 mOhm @ 280mA, 4.5V	680mV @ 1mA	2.2nC @ 4.5V	±8V	110pF @ 24V	-	417mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV40UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	44 mOhm @ 3.7A, 4.5V	900mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±12V	635pF @ 15V	-	490mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV30UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.2A (Ta)	1.2V, 4.5V	32 mOhm @ 4.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	11nC @ 4.5V	±12V	655pF @ 10V	-	490mW (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV65XP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	74 mOhm @ 2.8A, 4.5V	900mV @ 250µA	7.7nC @ 4.5V	±12V	744pF @ 20V	-	480mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV30XPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V TO-236AB	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	34 mOhm @ 3A, 4.5V	1.25V @ 250µA	17nC @ 4.5V	±12V	1465pF @ 10V	-	490mW (Ta), 5.435W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BUK7880-55A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 7A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	7A (Tc)	10V	80 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	12nC @ 10V	±20V	500pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK98150-55A/CUF	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	5.5A (Tc)	4.5V, 10V	137 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 1mA	5.3nC @ 5V	±15V	320pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK98180-100A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	4.6A (Tc)	4.5V, 10V	173 mOhm @ 5A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	619pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK9880-55A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 7A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	7A (Tc)	4.5V, 10V	73 mOhm @ 8A, 10V	2V @ 1mA	11nC @ 5V	±15V	584pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
PSMN026-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	34A (Tc)	10V	27.5 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	20nC @ 10V	±20V	1200pF @ 40V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN039-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	28.1A (Tc)	10V	39.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	23nC @ 10V	±20V	1847pF @ 50V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN4R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	95A (Tc)	4.5V, 10V	4 mOhm @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	19.4nC @ 10V	±20V	1272pF @ 15V	-	64W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7275-100A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	21.7A (Tc)	10V	75 mOhm @ 13A, 10V	4V @ 1mA	-	±20V	1210pF @ 25V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN012-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	59A (Tc)	10V	11.1 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	28.4nC @ 10V	±20V	1685pF @ 30V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN5R8-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	90A (Tc)	10V	5.7 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	28.8nC @ 10V	±20V	1703pF @ 20V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN018-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	45A (Tc)	10V	18 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	26nC @ 10V	±20V	1640pF @ 40V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9225-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 43A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	43A (Tc)	4.5V, 10V	22 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	-	±15V	1724pF @ 25V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK7Y12-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	52A (Tc)	10V	12 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	15nC @ 10V	±20V	1039pF @ 25V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN011-60MLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK33	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	61A (Tc)	4.5V, 10V	11.3 mOhm @ 15A, 10V	2.45V @ 1mA	37.2nC @ 10V	±20V	2191pF @ 30V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
PSMN3R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	3 mOhm @ 15A, 10V	2.15V @ 1mA	45.8nC @ 10V	±20V	2822pF @ 12V	-	81W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9875-100A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 7A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	7A (Tc)	4.5V, 10V	72 mOhm @ 8A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	1690pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK9832-55A/CUX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 12A SOT223	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	12A (Tc)	4.5V, 10V	29 mOhm @ 8A, 10V	2V @ 1mA	-	±10V	1594pF @ 25V	-	8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
PSMN020-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	43A (Tc)	10V	20.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	41nC @ 10V	±20V	2210pF @ 50V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN7R5-60YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK56	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	86A (Tc)	5V, 10V	7.5 mOhm @ 20A, 10V	2.1V @ 1mA	31nC @ 5V	±20V	4570pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN2R2-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	2.4 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	39nC @ 10V	±20V	2542pF @ 12V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK7Y14-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	65A (Tc)	10V	14 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	44.8nC @ 10V	±20V	3155pF @ 25V	-	147W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN3R3-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	100A (Tc)	10V	3.3 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	49nC @ 10V	±20V	2754pF @ 20V	-	117W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN1R2-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.25 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	78nC @ 10V	±20V	5093pF @ 15V	-	215W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9217-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 64A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	64A (Tc)	5V, 10V	15 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	35nC @ 5V	±15V	4029pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
BUK9209-40B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A DPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	75A (Tc)	5V, 10V	7 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	32nC @ 5V	±15V	3619pF @ 25V	-	167W (Tc)	-55°C ~ 185°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DPAK	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PSMN011-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	67A (Tc)	10V	11 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	45nC @ 10V	±20V	2800pF @ 40V	-	117W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN5R5-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	10V	5.2 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	56nC @ 10V	±20V	3501pF @ 30V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN059-150Y,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150V	43A (Tc)	10V	59 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 1mA	27.9nC @ 10V	±20V	1529pF @ 30V	-	113W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
PSMN1R1-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	25V	100A (Tc)	4.5V, 10V	1.15 mOhm @ 25A, 10V	1.95V @ 1mA	83nC @ 10V	±20V	5287pF @ 12V	-	215W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
BUK9612-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	75A (Tc)	5V, 10V	10 mOhm @ 25A, 10V	2V @ 1mA	31nC @ 5V	±15V	3693pF @ 25V	-	157W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
BUK964R8-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	100A (Tc)	5V	4.4 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	65nC @ 5V	±10V	9710pF @ 25V	-	234W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R3-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	120A (Tc)	10V	3.5 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	111nC @ 10V	±20V	8161pF @ 40V	-	306W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN4R8-100BSEJ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V D2PAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	120A (Tj)	10V	4.8 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	278nC @ 10V	±20V	14400pF @ 50V	-	405W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN5R0-80PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	100A (Tc)	10V	4.7 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	101nC @ 10V	±20V	6793pF @ 12V	-	270W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN5R6-100PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	100A (Tc)	10V	5.6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	141nC @ 10V	±20V	8061pF @ 50V	-	306W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN4R3-100PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	120A (Tc)	10V	4.3 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	170nC @ 10V	±20V	9900pF @ 50V	-	338W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN3R3-80PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	120A (Tc)	10V	3.3 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	139nC @ 10V	±20V	9961pF @ 40V	-	338W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
PSMN1R5-40PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	120A (Tc)	10V	1.6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	136nC @ 10V	±20V	9710pF @ 20V	-	338W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
NX3020NAK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	200mA (Ta)	2.5V, 10V	4.5 Ohm @ 100mA, 10V	1.5V @ 250µA	0.44nC @ 4.5V	±20V	13pF @ 10V	-	300mW (Ta), 1.06W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236AB (SOT23)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZ290UNE2YL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	1.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	320 mOhm @ 1.2A, 4.5V	950mV @ 250µA	1.4nC @ 4.5V	±8V	46pF @ 10V	-	350mW (Ta), 5.43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DFN1006-3	SC-101, SOT-883

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные