NXP Semiconductors агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - MRF1513NT1 MRF1517NT1

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MRF1513NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	15dB	12.5V	2A	-	50mA	3W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRF1517NT1	NXP USA Inc.	FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	14dB	7.5V	4A	-	150mA	8W	25V	PLD-1.5	PLD-1.5
MW6S004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5	в производстве	LDMOS	1.96GHz	18dB	28V	-	-	50mA	4W	68V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRFE6VS25NR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	в производстве	LDMOS	512MHz	25.4dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	TO-270AA	TO-270-2
MRF6V2150NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-272-4	устарелый	LDMOS	220MHz	25dB	50V	-	-	450mA	150W	110V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRFE6VS25LR5	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ NI360L	в производстве	LDMOS	512MHz	25.9dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	NI-360	NI-360
MRFE6VP5300NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	27dB	50V	-	-	100mA	300W	133V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRFE6VP100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	в производстве	LDMOS	512MHz	26dB	50V	-	-	100mA	100W	133V	NI-780-4	NI-780-4
MRFE6VP6300HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50V	-	-	100mA	300W	130V	NI-780-4	NI-780-4
MRFE6VP5600HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	25dB	50V	-	-	100mA	600W	130V	NI-1230	NI-1230
MRF6VP11KHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230	устарелый	LDMOS (Dual)	130MHz	26dB	50V	-	-	150mA	1000W	110V	NI-1230S-4 GW	NI-1230S-4 GULL
MRFX1K80HR5	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S	в производстве	LDMOS (Dual)	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65V	10µA	-	200mA	1800W	182V	NI-1230-4H	NI-1230-4H
BF1105R,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R	в производстве	N-Channel Dual Gate	800MHz	20dB	5V	30mA	1.7dB	-	-	7V	SOT-143R	SOT-143R
BF861B,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	15mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF861B,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 15MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	15mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF861C,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 25MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	25mA	-	-	-	25V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF510,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF545A,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	6.5mA	-	-	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
AFT27S006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	2.17GHz	22dB	28V	-	-	70mA	28.8dBm	65V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT05MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO-270-2	в производстве	LDMOS	520MHz	17.7dB	13.6V	-	-	10mA	31W	40V	TO-270AA	TO-270-2
MRF6VP3450HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230	в производстве	LDMOS (Dual)	860MHz	22.5dB	50V	-	-	1.4A	90W	110V	NI-1230	NI-1230
AFT31150NR5	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2	в производстве	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	17.2dB	32V	10µA	-	100mA	150W	65V	OM-780-2	OM-780-2
MRF6V12250HR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	в производстве	LDMOS	1.03GHz	20.3dB	50V	-	-	100mA	275W	100V	NI-780	NI-780
BF556A,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	7mA	-	-	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF556A,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	-	-	-	7mA	-	-	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
MMRF1014NT1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5	в производстве	LDMOS	1.96GHz	18dB	28V	-	-	50mA	4W	68V	PLD-1.5	PLD-1.5
AFT09MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	в производстве	LDMOS	870MHz	17.2dB	13.6V	-	-	500mA	31W	40V	TO-270AA	TO-270-2
MRF6V2150NR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-270-4	устарелый	LDMOS	220MHz	25dB	50V	-	-	450mA	150W	110V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MMRF1305HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	512MHz	26dB	50V	-	-	100mA	100W	133V	NI-780-4	NI-780-4
MRFE6VP6600NR3	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS 600W 50V	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	24.7dB	50V	-	-	100mA	600W	133V	OM780-4	OM780-4
MRF6VP3450HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230	устарелый	LDMOS (Dual)	860MHz	22.5dB	50V	-	-	1.4A	90W	110V	NI-1230	NI-1230
MMRF1312HSR5	NXP USA Inc.	TRANSISTOR 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	в производстве	LDMOS (Dual)	1.034GHz	19.6dB	50V	-	-	100mA	1000W	112V	NI-1230-4S	NI-1230-4S
MRF6S20010GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW	в производстве	LDMOS	2.17GHz	15.5dB	28V	-	-	130mA	10W	68V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MMRF1020-04NR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48V	-	-	860mA	100W	105V	OM780-4	OM780-4
BF992,215	NXP USA Inc.	MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B	в производстве	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	10V	40mA	1.2dB	15mA	-	20V	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BF1108,215	NXP USA Inc.	IC RF SWITCH SOT143B	устарелый	N-Channel	-	-	-	10mA	-	-	-	3V	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BF513,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF511,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	в производстве	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
AFM906NT1	NXP USA Inc.	WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS	в производстве	LDMOS	136MHz ~ 941MHz	-	10.8V	2µA	-	100mA	6.8W	30V	16-VDFN Exposed Pad	16-DFN (6x4)
AFT05MS004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	в производстве	LDMOS	520MHz	20.9dB	7.5V	-	-	100mA	4.9W	30V	TO-243AA	SOT-89-3
AFM907NT1	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN	в производстве	LDMOS	136MHz ~ 941MHz	-	10.8V	10µA	-	100mA	8.4W	30V	16-VDFN Exposed Pad	16-DFN (6x4)
AFT05MS006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	устарелый	LDMOS	520MHz	18.3dB	7.5V	-	-	100mA	6W	30V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT05MS003NT1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS	520MHz	20.8dB	7.5V	-	-	100mA	3W	30V	TO-243AA	SOT-89-3
AFT09MS007NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	870MHz	15.2dB	7.5V	-	-	100mA	7.3W	30V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT09MS015NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ PLD	в производстве	LDMOS	870MHz	17.2dB	12.5V	-	-	100mA	16W	40V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
MRF1518NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	520MHz	13dB	12.5V	4A	-	150mA	8W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRF1511NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5	устарелый	LDMOS	175MHz	13dB	7.5V	4A	-	150mA	8W	40V	PLD-1.5	PLD-1.5
MHT1006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W	в производстве	LDMOS	2.17GHz	21.7dB	28V	-	-	90mA	1.26W	65V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2
AFT09MS031GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G	в производстве	LDMOS	870MHz	17.2dB	13.6V	-	-	500mA	31W	40V	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MHT1008NT1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS 2450MHZ	в производстве	LDMOS	2.4GHz ~ 2.5GHz	18.6dB	-	-	-	-	12.5W	28V	PLD-1.5W	PLD-1.5W-2

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ