номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораНапряжение - пробой (V (BR) GSS)Слив к источнику напряжения (Vdss)Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)Текущий слив (Id) - Макс.Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ IdВходная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsСопротивление - RDS (Вкл.)Мощность - макс.Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V40mA @ 15V
-
6V @ 1µA30pF @ 10V (VGS)12 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 в производствеP-Channel30V30V1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA8pF @ 10V (VGS)300 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V10mA @ 15V
-
4V @ 1µA30pF @ 10V (VGS)18 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 в производствеN-Channel
-
25V1mA @ 10V10mA2.5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 в производствеN-Channel
-
25V1mA @ 10V10mA2.5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V12mA @ 10V
-
1V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V12mA @ 10V
-
1V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V40V50mA @ 20V
-
4V @ 1nA14pF @ 20V30 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V40V5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 устарелыйN-Channel40V40V20mA @ 15V
-
10V @ 1µA6pF @ 10V (VGS)30 Ohms400mW150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 устарелыйN-Channel
-
25V200µA @ 10V10mA1.2V @ 0.5nA5pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 устарелыйN-Channel
-
25V4mA @ 10V10mA5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 устарелыйN-Channel
-
25V4mA @ 10V10mA5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 устарелыйN-Channel40V40V20mA @ 15V
-
10V @ 1µA6pF @ 10V (VGS)30 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 устарелыйN-Channel40V40V25mA @ 20V
-
2V @ 1nA14pF @ 20V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 устарелыйN-Channel40V40V50mA @ 15V20mA4V @ 0.5nA
-
25 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 устарелыйP-Channel30V30V1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA8pF @ 10V (VGS)300 Ohms400mW150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 0.4W TO92 устарелыйP-Channel30V30V7mA @ 15V
-
3V @ 10nA8pF @ 10V (VGS)125 Ohms400mW150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 устарелыйN-Channel40V40V2mA @ 15V
-
500mV @ 1µA6pF @ 10V (VGS)100 Ohms400mW150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 устарелыйN-Channel40V40V5mA @ 15V
-
1V @ 1µA6pF @ 10V (VGS)50 Ohms400mW150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 устарелыйN-Channel40V40V8mA @ 15V
-
800mV @ 0.5nA
-
60 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 устарелыйN-Channel40V40V5mA @ 15V
-
5V @ 1µA6pF @ 10V (VGS)50 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 устарелыйN-Channel40V40V20mA @ 15V
-
5V @ 0.5nA
-
40 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 устарелыйN-Channel25V25V24mA @ 10V
-
2V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 устарелыйN-Channel25V25V80mA @ 15V
-
10V @ 1µA30pF @ 10V (VGS)8 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP устарелый2 N-Channel (Dual)25V25V24mA @ 10V
-
2V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms190mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 устарелыйP-Channel30V30V2mA @ 15V
-
1V @ 10nA8pF @ 10V (VGS)250 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 устарелыйP-Channel30V30V20mA @ 15V
-
5V @ 10nA8pF @ 10V (VGS)85 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)