номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиНапряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Ток - коллектор (Ic) (макс.)Текущий - Темный (Id) (Макс.)длина волныУгол обзораМощность - макс.Тип монтажаориентацияРабочая ТемператураУпаковка / чехол
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR IR 940NM GW TOPLOOKER в производстве30V2mA100nA940nm24°75mWSMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)2-SMD, Z-Bend
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR IR 940NM GW TOPLOOKER в производстве30V2mA100nA940nm24°75mWSMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)2-SMD, Gull Wing
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR PHOTO DET 2PLCC в производстве6V1.1mA100nA630nm
-
-
SMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)2-SMD, J-Lead
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOK в производстве30V
-
100nA880nm50°100mWThrough HoleSide View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, Side View
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM BLACK 5MM в производстве30V
-
100nA880nm24°100mWThrough HoleTop View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM BLACK 5MM в производстве30V
-
100nA880nm24°100mWThrough HoleTop View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM SIDE-LOOK в производстве30V
-
100nA880nm50°100mWThrough HoleSide View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, Side View
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM SIDE-LOOK в производстве30V
-
100nA880nm50°100mWThrough HoleSide View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, Side View
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 940NM BLK 1.9MM в производстве30V
-
100nA940nm24°75mWSMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)Axial
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR PHOTO DET 2PLCC в производстве6V1.1mA40nA630nm
-
-
SMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)2-SMD, J-Lead
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR NPN RA MINI SMD в производстве30V500µA100nA860nm160°75mWSMD Поверхностный монтажSide View-25°C ~ 85°C (TA)2-SMD, No Lead
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM SIDE-LOOK в производстве30V
-
100nA880nm50°100mWThrough HoleSide View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, Side View
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 880NM SIDE-LOOK в производстве30V
-
100nA880nm50°100mWThrough HoleSide View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, Side View
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 5MM в производстве30V
-
100nA880nm24°100mWThrough HoleTop View-40°C ~ 100°C (TA)Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
ON Semiconductor IC PHOTOTRANSISTOR IR 940NM 1.9MM YOK в производстве30V
-
100nA940nm24°75mWSMD Поверхностный монтажTop View-40°C ~ 85°C (TA)2-SMD, Yoke Bend
ON Semiconductor PHOTOTRANSISTOR DETECTOR 5MM в производстве30V16mA100nA880nm24°100mWThrough HoleTop View
-
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)