1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - JFET
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - JFET

Central Semiconductor
Microsemi
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Toshiba Semiconductor and Storage
Vishay
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораНапряжение - пробой (V (BR) GSS)Слив к источнику напряжения (Vdss)Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)Текущий слив (Id) - Макс.Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ IdВходная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsСопротивление - RDS (Вкл.)Мощность - макс.Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
MMBFJ271
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
6mA @ 15V
-
1.5V @ 1nA
-
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFJ175
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
7mA @ 15V
-
3V @ 10nA
-
125 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFJ176
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA
-
250 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBF5434
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 в производствеN-Channel25V
-
30mA @ 15V
-
1V @ 3nA30pF @ 10V (VGS)
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
BSR56
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
50mA @ 15V
-
4V @ 0.5nA
-
25 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
J113-D74Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
100 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
MMBF5458
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 350MW SOT23 в производствеN-Channel25V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA7pF @ 15V
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
2SK3666-3-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 10MA 200MW 3CP в производствеN-Channel
-
30V1.2mA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V200 Ohms200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
MMBF5462
 ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
4mA @ 15V
-
1.8V @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBF5461
 ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBF5460
 ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
1mA @ 15V
-
750mV @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFJ202
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 350MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
900µA @ 20V
-
800mV @ 10nA
-
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFU310LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel25V25V24mA @ 10V
-
2.5V @ 1nA5pF @ 10V (VGS)
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4093
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 350MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
8mA @ 20V
-
1V @ 1nA16pF @ 20V80 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBF4117
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel40V
-
30µA @ 10V
-
600mV @ 1nA3pF @ 10V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBF4118
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel40V
-
80µA @ 10V
-
1V @ 1nA3pF @ 10V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
J176-D74Z
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.35W TO92 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA
-
250 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
MMBFJ175LT1G
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
7mA @ 15V
-
3V @ 10nA11pF @ 10V (VGS)125 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
2SK932-22-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V7.3mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
2SK932-23-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V10mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
MMBFJ270
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1nA
-
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
CPH3910-TL-E
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V .04A CPH3 в производствеN-Channel25V25V20mA @ 5V50mA1.8V @ 100µA6pF @ 5V
-
400mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
MMBFJ110
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT в производствеN-Channel25V
-
10mA @ 15V
-
4V @ 10nA
-
18 Ohms460mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
2SK932-24-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V14.5mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
PF5102
 ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.625W TO92 в производствеN-Channel40V
-
4mA @ 15V
-
700mV @ 1nA16pF @ 15V
-
625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
J111
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
J112
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
J113
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
100 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
J106
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
200mA @ 15V
-
2V @ 1µA
-
6 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SMMBFJ177LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR JFET P-CH SOT23 в производствеP-Channel30V
-
1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA11pF @ 10V (VGS)300 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
2SK545-11D-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 1MA 125MW CP в производствеN-Channel
-
40V60µA @ 10V1mA1.5V @ 1µA1.7pF @ 10V
-
125mW
-
SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
J109-D26Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
40mA @ 15V
-
2V @ 10nA
-
12 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J107
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
100mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
8 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
2SK3666-2-TB-E
 ON Semiconductor JFET NCH 30V 200MW 3CP в производствеN-Channel
-
30V600µA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V200 Ohms200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
MMBF4393LT3G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V5mA @ 15V
-
500mV @ 10nA14pF @ 15V100 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
J112-D74Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J111-D74Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J111-D26Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
MMBF4393
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 350MW SOT23 в производствеN-Channel30V30V5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFJ177
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA
-
300 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
J112-D27Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J112-D26Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
MMBF4392LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V25mA @ 15V
-
2V @ 10nA14pF @ 15V60 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ108
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 в производствеN-Channel25V
-
80mA @ 15V
-
3V @ 10nA
-
8 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
TF414T5G
 ON Semiconductor IC JFET N-CH 40V XDFN3 в производствеN-Channel40V40V50µA @ 10V1mA4V @ 1µA0.7pF @ 10V
-
100mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-101, SOT-883SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
TF412ST5G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 в производствеN-Channel30V30V1.2mA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V
-
100mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-XFDFNSOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
MCH5908H-TL-E
 ON Semiconductor JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 в производстве2 N-Channel (Dual)
-
-
16mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10.5pF @ 5V
-
300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж5-SMD, Flat Leads5-MCPH
CPH6904-TL-E
 ON Semiconductor JFET 2N-CH 0.7W CPH6 в производстве2 N-Channel (Dual)
-
-
20mA @ 5V50mA600mV @ 100µA6pF @ 5V
-
700mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-74, SOT-4576-CPH
NSVJ3557SA3T1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 в производствеN-Channel15V15V10mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10pF @ 5V
-
200mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59-3/CP3
2SK2394-6-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V10mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10pF @ 5V
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены