номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиНапряжение - Zener (Nom) (Vz)ТолерантностьМощность - макс.Импеданс (макс.) (Zzt)Текущий - обратный утечек @ VrНапряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслиРабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 10V 700MW SFLAT устарелый10V±10%700mW30 Ohms10µA @ 6V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 11V 700MW SFLAT устарелый11V±10%700mW30 Ohms10µA @ 7V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 12V 700MW SFLAT устарелый12V±10%700mW30 Ohms10µA @ 8V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 22V 700MW SFLAT устарелый22V±10%700mW30 Ohms10µA @ 16V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 30V 700MW SFLAT устарелый30V±10%700mW30 Ohms10µA @ 21V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 33V 700MW SFLAT устарелый33V±10%700mW30 Ohms10µA @ 26.4V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 47V 700MW SFLAT устарелый47V±10%700mW65 Ohms10µA @ 37.6V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 18V 700MW SFLAT устарелый18V±10%700mW30 Ohms10µA @ 13V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 9.1V 700MW SFLAT устарелый9.1V±10%700mW30 Ohms10µA @ 5.5V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 6.8V 700MW SFLAT в производстве6.8V±10%700mW60 Ohms10µA @ 3V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 8.2V 700MW SFLAT устарелый8.2V±10%700mW30 Ohms10µA @ 4.9V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 7.5V 700MW SFLAT устарелый7.5V±10%700mW30 Ohms10µA @ 4.5V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage DIODE 15V 700MW SFLAT в производстве15V±10%700mW30 Ohms10µA @ 10V1V @ 200mA-40°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве6.2V±9.68%700mW60 Ohms10µA @ 3V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве10V±10%700mW30 Ohms10µA @ 6V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве11V±10%700mW30 Ohms10µA @ 7V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве12V±10%700mW30 Ohms10µA @ 8V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве13V±10%700mW30 Ohms10µA @ 9V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве16V±10%700mW30 Ohms10µA @ 11V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве18V±10%700mW30 Ohms10µA @ 13V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве20V±10%700mW30 Ohms10µA @ 14V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве22V±10%700mW30 Ohms10µA @ 16V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве24V±10%700mW30 Ohms10µA @ 17V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве27V±10%700mW30 Ohms10µA @ 19V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве30V±10%700mW30 Ohms10µA @ 21V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве36V±10%700mW30 Ohms10µA @ 28.8V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве39V±10%700mW35 Ohms10µA @ 31.2V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве43V±10%700mW40 Ohms10µA @ 34.4V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V в производстве47V±10%700mW65 Ohms10µA @ 37.6V1V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-123FS-FLAT (1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве12V±10%2W30 Ohms10µA @ 8V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве13V±10%2W30 Ohms10µA @ 9V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве15V±10%2W30 Ohms10µA @ 10V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве16V±10%2W30 Ohms10µA @ 11V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве18V±10%2W30 Ohms10µA @ 13V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве20V±10%2W30 Ohms10µA @ 14V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве22V±10%2W30 Ohms10µA @ 16V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве24V±10%2W30 Ohms10µA @ 17V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)
Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V в производстве27V±10%2W30 Ohms10µA @ 19V1.2V @ 200mA-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOD-128M-FLAT (2.4x3.8)