Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Транзисторы - биполярные (BJT) - RF - 2SC5066-O,LF MT3S111(TE85L,F)

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Частота - переход	Шум (дБ Тип @ f)	Усиление	Мощность - макс.	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
2SC5066-O,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SSM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	80 @ 10mA, 5V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
MT3S111(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	6V	11.5GHz	1.2dB @ 1GHz	12dB	700mW	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
MT3S113TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	5.3V	11.2GHz	1.45dB @ 1GHz	12.5dB	900mW	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, Flat Leads	UFM
MT3S113(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	5.3V	12.5GHz	1.45dB @ 1GHz	11.8dB	800mW	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
MT3S111P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	6V	8GHz	1.25dB @ 1GHz	10.5dB	1W	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	PW-MINI
2SC2714-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 30V 550MHZ S-MINI	в производстве	NPN	30V	550MHz	2.5dB @ 100MHz	23dB	100mW	70 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC4215-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANSISTOR NPN 30V 20MA SC70	устарелый	NPN	30V	550MHz	5dB @ 100MHz	23dB	100mW	40 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
MT3S16U(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 5V 1GHZ USM	в производстве	NPN	5V	4GHz	2.4dB @ 1GHz	4.5dBi	100mW	80 @ 5mA, 1V	60mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC4215-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 30V 550MHZ USM	в производстве	NPN	30V	550MHz	2dB ~ 5dB @ 100MHz	17dB ~ 23dB	100mW	100 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC5065-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN MM-USM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	12dB ~ 17dB	100mW	120 @ 10mA, 5V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC5087R(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SMQ	в производстве	NPN	12V	8GHz	1.1dB ~ 2dB @ 1GHz	-	150mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-61AA	SMQ
2SC5087-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SMQ	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz	-	150mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-61AA	SMQ
2SC4915-O,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 30V 550MHZ SSM	в производстве	NPN	30V	550MHz	2.3dB ~ 5dB @ 100MHz	17dB ~ 23dB	100mW	70 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC5087YTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 7GHZ 80MA SMQ	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	13dB	150mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-61AA	SMQ
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	5.3V	7.7GHz	1.45dB @ 1GHz	10.5dB	1.6W	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	PW-MINI
2SC5084YTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN MM S-MINI	Discontinued at -	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	11dB	150mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SC5095-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN MM-USM	в производстве	NPN	10V	10GHz	1.8dB @ 2GHz	13dB ~ 7dB	100mW	80 @ 7mA, 6V	15mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70
2SC4915-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 30V 550MHZ SSM	в производстве	NPN	30V	550MHz	2.3dB ~ 5dB @ 100MHz	17dB ~ 23dB	100mW	100 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC2714-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN S-MINI	в производстве	NPN	30V	550MHz	2.5dB @ 100MHz	23dB	100mW	100 @ 1mA, 6V	20mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC5095-R(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN MM-USM	в производстве	NPN	10V	10GHz	1.8dB @ 2GHz	13dB ~ 7.5dB	100mW	50 @ 7mA, 6V	15mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70
HN3C10FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN US6	в производстве	2 NPN (Dual)	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	11.5dB	200mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	-	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2SC5086-O,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SSM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC5086-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SSM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC5085-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ USM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC5085-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN MM USM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	11dB ~ 16.5dB	100mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC5084-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 7GHZ 80MA SMINI	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	11dB	150mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 7GHZ 80MA UFM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.45dB @ 20mA, 5V	12dB	900mW	100 @ 50mA, 5V	80mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, Flat Leads	UFM
2SC5096-R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 10V 1GHz SSM	устарелый	NPN	10V	10GHz	1.4dB @ 1GHz	1.4dB	100mW	50 @ 7mA, 6V	15mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
MT3S20P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.45dB @ 1GHz	16.5dB	1.8W	100 @ 50mA, 5V	80mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	PW-MINI
2SC5065-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ USM	в производстве	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	80 @ 10mA, 5V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC5088-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 500MHZ USQ	устарелый	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	18dB	100mW	80 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-82A, SOT-343	USQ
2SC5108-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 10V 1GHZ SSM	Discontinued at -	NPN	10V	6GHz	-	11dB	100mW	120 @ 5mA, 5V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC5066-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 12V 1MHZ SSM	Discontinued at -	NPN	12V	7GHz	1dB @ 500MHz	-	100mW	120 @ 10mA, 5V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - RF