Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные - 2SC3326-A,LF 2SA1162-GR,LF

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Мощность - макс.	Частота - переход	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
2SC3326-A,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 20V 0.3A S-MINI	в производстве	NPN	300mA	20V	100mV @ 3mA, 30mA	100nA (ICBO)	200 @ 4mA, 2V	150mW	30MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236
2SA1162-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A S-MINI	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC4116-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A USM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SA1586-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A USM	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC2712-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A S-MINI	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC2712-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A S-MINI	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC3325-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.5A S-MINI	в производстве	NPN	500mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 100mA, 1V	200mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SA1313-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.5A SMINI	в производстве	PNP	500mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 100mA, 1V	200mW	200MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
TTA004B,Q	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 160V 1.5A TO126N	в производстве	PNP	1.5A	160V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	140 @ 100mA, 5V	10W	100MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-225AA, TO-126-3	TO-126N
TTC004B,Q	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 160V 1.5A TO126N	в производстве	NPN	1.5A	160V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	140 @ 100mA, 5V	10W	100MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-225AA, TO-126-3	TO-126N
2SC4738-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SSM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SA1588-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 30V 0.5A USM	в производстве	PNP	500mA	30V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 100mA, 1V	100mW	200MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC4116-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 150MA SC70	устарелый	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SA1313-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 500MA TO236-3	устарелый	PNP	500mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 100mA, 1V	200mW	200MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC3325-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.5A S-MINI	в производстве	NPN	500mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 100mA, 1V	200mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SA1955FVATPL3Z	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 12V 0.4A VESM	устарелый	PNP	400mA	12V	250mV @ 10mA, 200mA	100nA (ICBO)	300 @ 10mA, 2V	100mW	130MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-101, SOT-883	CST3
2SA1955FVBTPL3Z	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 12V 0.4A VESM	устарелый	PNP	400mA	12V	250mV @ 10mA, 200mA	100nA (ICBO)	300 @ 10mA, 2V	100mW	130MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	VESM
TMBT3904,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT23-3	в производстве	NPN	150mA	50V	300mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	320mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SA1586-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A USM	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
TMBT3906,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT23-3	в производстве	PNP	150mA	50V	400mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	320mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SA1162-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A S-MINI	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100µA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SA1588-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 30V 0.5A USM	в производстве	PNP	500mA	30V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 100mA, 1V	100mW	200MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC4738-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SSM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	350 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC2713-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 120V 0.1A S-MINI	в производстве	NPN	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	150mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236
2SA1163-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 120V 0.1A SMINI	в производстве	PNP	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	150mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SA2154CT-GR,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.1A	в производстве	PNP	100mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-101, SOT-883	CST3
2SA1163-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 120V 0.1A S-MINI	в производстве	PNP	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	350 @ 2mA, 6V	150mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC4944-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A USV	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	200mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
2SA1162-O,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A S-MINI	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SA1298-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 25V 0.8A S-MINI	в производстве	PNP	800mA	25V	400mV @ 20mA, 500mA	100nA (ICBO)	160 @ 100mA, 1V	200mW	120MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC3265-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 25V 0.8A S-MINI	в производстве	NPN	800mA	25V	400mV @ 20mA, 500mA	100nA (ICBO)	160 @ 100mA, 1V	200mW	120MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236
2SC5232BTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 12V 0.5A S-MINI	устарелый	NPN	500mA	12V	250mV @ 10mA, 200mA	100nA (ICBO)	500 @ 10mA, 2V	150mW	130MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SA1943-O(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3PL	в производстве	PNP	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	150W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3PL	TO-3P(L)
2SC5200-O(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-3PL	в производстве	NPN	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	150W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3PL	TO-3P(L)
2SA1962-O(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3PN	в производстве	PNP	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	130W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)
2SC5200N(S1,E,S)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-3PL	в производстве	NPN	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	150W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)
2SA1943N(S1,E,S)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3PN	в производстве	PNP	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	150W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)
TTA1943(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3PL	в производстве	PNP	15A	230V	3V @ 800mA, 8A	5µA (ICBO)	80 @ 1A, 5V	150W	30MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3PL	TO-3P(L)
TBC857B,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L	в производстве	PNP	150mA	50V	650mV @ 100mA, 5mA	30nA (ICBO)	210 @ 2mA, 5V	320mW	80MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SC4738-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SSM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SSM
2SC2713-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 120V 0.1A S-MINI	в производстве	NPN	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	350 @ 2mA, 6V	150mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236
2SA1182-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 30V 0.5A S-MINI	в производстве	PNP	500mA	30V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 100mA, 1V	150mW	200MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC6026CT-Y(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A CST3	в производстве	NPN	100mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	100mW	60MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-101, SOT-883	CST3
2SC4213-A(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 20V 300MA SC70	устарелый	NPN	300mA	20V	100mV @ 3mA, 30A	100nA (ICBO)	200 @ 4mA, 2V	100mW	30MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SB906-Y(TE16L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 60V 3A PW-MOLD	в производстве	PNP	3A	60V	1.7V @ 300mA, 3A	100µA (ICBO)	100 @ 500mA, 5V	1W	9MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PW-MOLD
TBC847B,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L	в производстве	NPN	150mA	50V	400mV @ 100mA, 5mA	30nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	320mW	100MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SC6026MFVGR,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VESM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	150mW	60MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	VESM
2SC4116-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A USM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SA1587-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 120V 0.1A USM	в производстве	PNP	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SC4117-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 120V 0.1A SOT323	в производстве	NPN	100mA	120V	300mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	100MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные