Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Транзисторы - JFET - 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F)

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	Текущий слив (Id) - Макс.	Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Сопротивление - RDS (Вкл.)	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
2SK880-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	в производстве	N-Channel	50V	-	1.2mA @ 10V	-	1.5V @ 100nA	13pF @ 10V	-	100mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SK880-BL(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	в производстве	N-Channel	50V	-	6mA @ 10V	-	1.5V @ 100nA	13pF @ 10V	-	100mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70
2SK880GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	в производстве	N-Channel	50V	-	2.6mA @ 10V	-	1.5V @ 100nA	13pF @ 10V	-	100mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70
2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	в производстве	N-Channel	-	-	2.6mA @ 10V	-	400mV @ 100nA	8.2pF @ 10V	-	100mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SK2145-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV	в производстве	2 N-Channel (Dual)	-	-	2.6mA @ 10V	-	200mV @ 100nA	13pF @ 10V	-	300mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
2SK2145-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV	в производстве	2 N-Channel (Dual)	-	-	1.2mA @ 10V	-	200mV @ 100nA	13pF @ 10V	-	300mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV

Производители для Транзисторы - JFET