Transphorm агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - TPH3212PS TPH3205WSB

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
TPH3212PS	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 27A TO220	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	27A (Tc)	8V	72 mOhm @ 17A, 8V	2.6V @ 400uA	14nC @ 8V	±18V	1130pF @ 400V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3205WSB	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 36A TO247	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	36A (Tc)	8V	60 mOhm @ 22A, 8V	2.6V @ 700µA	42nC @ 8V	±18V	2200pF @ 400V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247	TO-247-3
TPH3207WS	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 50A TO247	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	50A (Tc)	8V	41 mOhm @ 32A, 8V	2.65V @ 700µA	42nC @ 8V	±18V	2197pF @ 400V	-	178W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247	TO-247-3
TPH3206PS	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	17A (Tc)	8V	180 mOhm @ 11A, 8V	2.6V @ 500µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3206PSB	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	16A (Tc)	8V	180 mOhm @ 10A, 8V	2.6V @ 500µA	6.2nC @ 4.5V	±18V	720pF @ 480V	-	81W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
TPH3206PD	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	17A (Tc)	8V	180 mOhm @ 11A, 8V	2.6V @ 500µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3208PS	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	8V	130 mOhm @ 13A, 8V	2.6V @ 300µA	14nC @ 8V	±18V	760pF @ 400V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3206LSB	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	16A (Tc)	8V	180 mOhm @ 10A, 8V	2.6V @ 500µA	6.2nC @ 4.5V	±18V	720pF @ 480V	-	81W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TP90H180PS	Transphorm	MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	900V	15A (Tc)	10V	205 mOhm @ 10A, 10V	2.6V @ 500µA	10nC @ 8V	±18V	780pF @ 600V	-	78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3
TPH3208LDG	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	8V	130 mOhm @ 13A, 8V	2.6V @ 300µA	14nC @ 8V	±18V	760pF @ 400V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TPH3205WSBQA	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 35A TO247	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	35A (Tc)	-	62 mOhm @ 22A, 8V	2.6V @ 700µA	42nC @ 8V	±18V	2200pF @ 400V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247	TO-247-3
TPH3206LDGB	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	16A (Tc)	8V	180 mOhm @ 11A, 8V	2.6V @ 500µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	81W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TPH3208LSG	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	8V	130 mOhm @ 14A, 8V	2.6V @ 300µA	42nC @ 8V	±18V	760pF @ 400V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TP65H050WS	Transphorm	650 V 34 A CASCODE GAN FET	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	34A (Tc)	10V	60 mOhm @ 22A, 10V	4.8V @ 700µA	24nC @ 10V	±20V	1000pF @ 400V	-	119W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247-3
TP65H035WS	Transphorm	650 V 46.5 CASCODE GAN FET	в производстве	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	46.5A (Tc)	8V	41 mOhm @ 30A, 8V	4.8V @ 700µA	36nC @ 8V	±20V	1500pF @ 400V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247-3
TPH3202PD	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	9A (Tc)	8V	350 mOhm @ 5.5A, 8V	2.5V @ 250µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3202PS	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	9A (Tc)	8V	350 mOhm @ 5.5A, 8V	2.5V @ 250µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3208PD	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	-	-	-	14nC @ 8V	-	760pF @ 400V	-	-	-55°C ~ 150°C	Through Hole	TO-220	TO-220-3
TPH3206LD	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	17A (Tc)	8V	180 mOhm @ 11A, 8V	2.6V @ 500µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	4-PowerDFN
TPH3206LS	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	17A (Tc)	8V	180 mOhm @ 11A, 8V	2.6V @ 500µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TPH3208LS	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	8V	130 mOhm @ 13A, 8V	2.6V @ 300µA	14nC @ 8V	±18V	760pF @ 400V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN
TPH3202LD	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	9A (Tc)	8V	350 mOhm @ 5.5A, 8V	2.5V @ 250µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	4-PowerDFN
TPH3208LD	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	20A (Tc)	8V	130 mOhm @ 13A, 8V	2.6V @ 300µA	14nC @ 8V	±18V	760pF @ 400V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	4-PowerDFN
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650V	16A (Tc)	8V	180 mOhm @ 10A, 8V	2.6V @ 500µA	6.2nC @ 4.5V	±18V	720pF @ 480V	-	81W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	4-PowerDFN
TPH3202LS	Transphorm	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	устарелый	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	9A (Tc)	8V	350 mOhm @ 5.5A, 8V	2.5V @ 250µA	9.3nC @ 4.5V	±18V	760pF @ 480V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PQFN (8x8)	3-PowerDFN

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные