Vishay агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные - 2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-GE3

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Технологии	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (Макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Функция FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
2N7002K-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	30pF @ 25V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	30pF @ 25V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1062X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V SC-89	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	1.5V, 4.5V	420 mOhm @ 500mA, 4.5V	1V @ 250µA	2.7nC @ 8V	±8V	43pF @ 10V	-	220mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-3	SC-89, SOT-490
SI2365EDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	5.9A (Tc)	1.8V, 4.5V	32 mOhm @ 4A, 4.5V	1V @ 250µA	36nC @ 8V	±8V	-	-	1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.1A (Tc)	2.5V, 4.5V	112 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1V @ 250µA	10nC @ 4.5V	±8V	405pF @ 10V	-	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.1A (Tc)	2.5V, 4.5V	112 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1V @ 250µA	10nC @ 4.5V	±8V	405pF @ 10V	-	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2371EDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.8A (Tc)	2.5V, 10V	45 mOhm @ 3.7A, 10V	1.5V @ 250µA	35nC @ 10V	±12V	-	-	1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	5A (Tc)	4.5V, 10V	42 mOhm @ 3.8A, 10V	2.5V @ 250µA	22nC @ 10V	±20V	705pF @ 15V	-	1.2W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V	850mV @ 250µA	5.5nC @ 4.5V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.6A (Ta)	4.5V, 10V	70 mOhm @ 2.5A, 10V	3V @ 250µA	4nC @ 5V	±20V	225pF @ 15V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3456DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6.3A (Tc)	4.5V, 10V	40 mOhm @ 5A, 10V	3V @ 250µA	9nC @ 10V	±20V	325pF @ 15V	-	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI1032R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	140mA (Ta)	1.5V, 4.5V	5 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.2V @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	±6V	-	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI1427EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2A (Tc)	1.5V, 4.5V	64 mOhm @ 3A, 4.5V	1V @ 250µA	21nC @ 8V	±8V	-	-	1.56W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2318CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	5.6A (Tc)	4.5V, 10V	42 mOhm @ 4.3A, 10V	2.5V @ 250µA	9nC @ 10V	±20V	340pF @ 20V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2303CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.7A (Tc)	4.5V, 10V	190 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	8nC @ 10V	±20V	155pF @ 15V	-	1W (Ta), 2.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1013R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	350mA (Ta)	1.8V, 4.5V	1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V	450mV @ 250µA (Min)	1.5nC @ 4.5V	±6V	-	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI1012X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700 mOhm @ 600mA, 4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	±6V	-	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-3	SC-89, SOT-490
SI1012R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	500mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700 mOhm @ 600mA, 4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	±6V	-	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI1077X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V SC89-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	-	1.5V, 4.5V	78 mOhm @ 1.8A, 4.5V	1V @ 250µA	31.1nC @ 8V	±8V	965pF @ 10V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89-6	SOT-563, SOT-666
SI2300DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.6A (Tc)	2.5V, 4.5V	68 mOhm @ 2.9A, 4.5V	1.5V @ 250µA	10nC @ 10V	±12V	320pF @ 15V	-	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1401EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	4A (Tc)	1.5V, 4.5V	34 mOhm @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250µA	36nC @ 8V	±10V	-	-	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2369DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	7.6A (Tc)	4.5V, 10V	29 mOhm @ 5.4A, 10V	2.5V @ 250µA	36nC @ 10V	±20V	1295pF @ 15V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2315BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50 mOhm @ 3.85A, 4.5V	900mV @ 250µA	15nC @ 4.5V	±8V	715pF @ 6V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	4.4A (Tc)	1.5V, 4.5V	61 mOhm @ 3.2A, 4.5V	1V @ 250µA	21nC @ 8V	±8V	-	-	1.25W (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	6A (Tc)	1.8V, 4.5V	31.8 mOhm @ 5A, 4.5V	1V @ 250µA	18nC @ 5V	±8V	865pF @ 10V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.9A (Ta)	1.8V, 4.5V	31 mOhm @ 5A, 4.5V	850mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±8V	-	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	3.9A (Ta)	1.8V, 4.5V	31 mOhm @ 5A, 4.5V	850mV @ 250µA	12nC @ 4.5V	±8V	-	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1021R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	190mA (Ta)	4.5V, 10V	4 Ohm @ 500mA, 10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 15V	±20V	23pF @ 25V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SI3127DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	3.5A (Ta), 13A (Tc)	4.5V, 10V	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V	3V @ 250µA	30nC @ 10V	±20V	833pF @ 20V	-	2W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI2308BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	156 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	6.8nC @ 10V	±20V	190pF @ 30V	-	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2308BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	156 mOhm @ 1.9A, 10V	3V @ 250µA	6.8nC @ 10V	±20V	190pF @ 30V	-	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	7.1A (Tc)	1.8V, 4.5V	35 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1V @ 250µA	25nC @ 4.5V	±8V	1225pF @ 6V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40V	8A (Tc)	4.5V, 10V	31 mOhm @ 6A, 10V	2.5V @ 250µA	13nC @ 10V	±20V	555pF @ 10V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Tc)	4.5V, 10V	21 mOhm @ 5A, 10V	2.2V @ 250µA	45nC @ 10V	±20V	1550pF @ 15V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Single	PowerPAK® SC-70-6
SI2302CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V	850mV @ 250µA	5.5nC @ 4.5V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2307BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	2.5A (Ta)	4.5V, 10V	78 mOhm @ 3.2A, 10V	3V @ 250µA	15nC @ 10V	±20V	380pF @ 15V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1022R-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	330mA (Ta)	4.5V, 10V	1.25 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	30pF @ 25V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75A	SC-75A
SIA817EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.5A (Tc)	2.5V, 10V	65 mOhm @ 3A, 10V	1.3V @ 250µA	23nC @ 10V	±12V	600pF @ 15V	Schottky Diode (Body)	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® SC-70-6 Dual	PowerPAK® SC-70-6 Dual
SI2338DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6A SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	6A (Tc)	4.5V, 10V	28 mOhm @ 5.5A, 10V	2.5V @ 250µA	13nC @ 10V	±20V	424pF @ 15V	-	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2392ADS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	3.1A (Tc)	4.5V, 10V	126 mOhm @ 2A, 10V	3V @ 250µA	10.4nC @ 10V	±20V	196pF @ 50V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3476DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80V	4.6A (Tc)	4.5V, 10V	93 mOhm @ 3.5A, 10V	3V @ 250µA	7.5nC @ 10V	±20V	195pF @ 40V	-	2W (Ta), 3.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SQ2308CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.3A (Tc)	4.5V, 10V	150 mOhm @ 2.3A, 10V	2.5V @ 250µA	5.3nC @ 10V	±20V	205pF @ 30V	-	2W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23 (TO-236AB)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2362ES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4.3A (Tc)	10V	95 mOhm @ 4.5A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	550pF @ 30V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2361ES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	2.8A (Tc)	10V	177 mOhm @ 2.4A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	550pF @ 30V	-	2W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1469DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	2.7A (Tc)	2.5V, 10V	80 mOhm @ 2A, 10V	1.5V @ 250µA	8.5nC @ 4.5V	±12V	470pF @ 10V	-	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70-6 (SOT-363)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
2N7002E-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	240mA (Ta)	4.5V, 10V	3 Ohm @ 250mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	±20V	21pF @ 5V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50pF @ 25V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIS412DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	12A (Tc)	4.5V, 10V	24 mOhm @ 7.8A, 10V	2.5V @ 250µA	12nC @ 10V	±20V	435pF @ 15V	-	3.2W (Ta), 15.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI2316BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3	в производстве	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	4.5A (Tc)	4.5V, 10V	50 mOhm @ 3.9A, 10V	3V @ 250µA	9.6nC @ 10V	±20V	350pF @ 15V	-	1.25W (Ta), 1.66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2329DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23	в производстве	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8V	6A (Tc)	1.2V, 4.5V	30 mOhm @ 5.3A, 4.5V	800mV @ 250µA	29nC @ 4.5V	±5V	1485pF @ 4V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные