DMT2P33K-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMT2P33K-F |
|---|---|
| Производитель / Марка | Cornell Dubilier Electronics (CDE) |
| Количество на складе | 79680 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | Capacitor FILM 0.33UF 10 250VDC RAD |
| Категория продукта | Пленочные конденсаторы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | DMT2P33K-F.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMT2P33K-F в течение 24 часов.
- номер части
- DMT2P33K-F
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- емкость
- 0.33µF
- Толерантность
- ±10%
- Номинальное напряжение - AC
- 125V
- Номинальное напряжение - DC
- 250V
- Диэлектрический материал
- Polyester, Metallized
- ESR (Сопротивление эквивалентной серии)
-
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 125°C
- Тип монтажа
- Through Hole
- Упаковка / чехол
- Radial
- Размер / размер
- 0.945" L x 0.492" W (24.00mm x 12.50mm)
- Высота - сидя (макс.)
- 0.783" (19.90mm)
- прекращение
- PC Pins
- Межстрочный интервал
- 0.795" (20.20mm)
- Приложения
- General Purpose
- Рейтинги
-
- Особенности
-
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- DMT2P33K-F
Связанные компоненты сделаны Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Связанные ключевые слова "DMT"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 |
| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A |
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 |
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 |
| DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A |