CY7C11681KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp дистрибьютор
| Номер детали производителя | CY7C11681KV18-400BZXC |
|---|---|
| Производитель / Марка | Cypress Semiconductor Corp |
| Количество на складе | 84890 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | CY7C11681KV18-400BZXC.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение CY7C11681KV18-400BZXC в течение 24 часов.
- номер части
- CY7C11681KV18-400BZXC
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип памяти
- Volatile
- Формат памяти
- SRAM
- Технологии
- SRAM - Synchronous, DDR II+
- Размер памяти
- 18Mb (1M x 18)
- Частота часов
- 400MHz
- Время цикла записи - слово, страница
-
- Время доступа
-
- Интерфейс памяти
- Parallel
- Напряжение - Поставка
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая Температура
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 165-LBGA
- Пакет устройств поставщика
- 165-FBGA (13x15)
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- CY7C11681KV18-400BZXC
Связанные компоненты сделаны Cypress Semiconductor Corp
Связанные ключевые слова "CY7C116"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| CY7C116 | CYPRESS | CY7C116 CYPRESS IC DIP |
| CY7C1161V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-333BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-333BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-333BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1161V18-333BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1163KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1163KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |