Диоды - Зенера - Одноместный - Дискретный полупроводник - 1N3036BUR-1 1N3037BUR-1 1N3038BUR-1 1N3039BUR-1

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
1N3036BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 47V 1W DO213AB	в производстве	47V	±5%	1W	80 Ohms	10µA @ 35.8V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3037BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 51V 1W DO213AB	в производстве	51V	±5%	1W	95 Ohms	10µA @ 38.8V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3038BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 56V 1W DO213AB	в производстве	56V	±5%	1W	110 Ohms	10µA @ 42.6V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3039BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 62V 1W DO213AB	в производстве	62V	±5%	1W	125 Ohms	10µA @ 47.1V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3040BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 68V 1W DO213AB	в производстве	68V	±5%	1W	150 Ohms	10µA @ 51.7V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3041BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 75V 1W DO213AB	в производстве	75V	±5%	1W	175 Ohms	10µA @ 56V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3042BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 82V 1W DO213AB	в производстве	82V	±5%	1W	200 Ohms	10µA @ 62.2V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3043BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 91V 1W DO213AB	в производстве	91V	±5%	1W	250 Ohms	10µA @ 69.2V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3044BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 100V 1W DO213AB	в производстве	100V	±5%	1W	350 Ohms	10µA @ 76V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3045BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 110V 1W DO213AB	в производстве	110V	±5%	1W	450 Ohms	10µA @ 83.6V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3046BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 120V 1.5W DO213AB	в производстве	120V	±5%	1.5W	550 Ohms	10µA @ 91.2V	1.5V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
1N3047BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3048BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3049BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3050BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3051BUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4464	Microsemi Corporation	DIODE 9.1V 1.5W DO41	в производстве	9.1V	±5%	1.5W	4 Ohms	300nA @ 5.46V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4099C-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.8V DO35	в производстве	6.8V	±2%	-	200 Ohms	1µA @ 5.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4100C-1	Microsemi Corporation	DIODE 7.5V DO35	в производстве	7.5V	±2%	-	200 Ohms	1µA @ 5.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4101C-1	Microsemi Corporation	DIODE 8.2V DO35	в производстве	8.2V	±2%	-	200 Ohms	500nA @ 6.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4102C-1	Microsemi Corporation	DIODE 8.7V DO35	в производстве	8.7V	±2%	-	200 Ohms	500nA @ 6.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4103C-1	Microsemi Corporation	DIODE 9.1V DO35	в производстве	9.1V	±2%	-	200 Ohms	500nA @ 7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4104C-1	Microsemi Corporation	DIODE 10V DO35	в производстве	10V	±2%	-	200 Ohms	500nA @ 7.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4105C-1	Microsemi Corporation	DIODE 11V DO35	в производстве	11V	±2%	-	200 Ohms	50nA @ 8.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4106C-1	Microsemi Corporation	DIODE 12V DO35	в производстве	12V	±2%	-	200 Ohms	50nA @ 9.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4107C-1	Microsemi Corporation	DIODE 13V DO35	в производстве	13V	±2%	-	200 Ohms	50nA @ 9.9V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4108C-1	Microsemi Corporation	DIODE 14V DO35	в производстве	14V	±2%	-	200 Ohms	50nA @ 10.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4109C-1	Microsemi Corporation	DIODE 15V DO35	в производстве	15V	±2%	-	100 Ohms	50nA @ 11.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4110C-1	Microsemi Corporation	DIODE 16V DO35	в производстве	16V	±2%	-	100 Ohms	50nA @ 12.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4111C-1	Microsemi Corporation	DIODE 17V DO35	в производстве	17V	±2%	-	100 Ohms	50nA @ 13V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4112C-1	Microsemi Corporation	DIODE 18V DO35	в производстве	18V	±2%	-	100 Ohms	50nA @ 13.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4113C-1	Microsemi Corporation	DIODE 19V DO35	в производстве	19V	±2%	-	150 Ohms	50nA @ 14.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4114C-1	Microsemi Corporation	DIODE 20V DO35	в производстве	20V	±2%	-	150 Ohms	10nA @ 15.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4115C-1	Microsemi Corporation	DIODE 22V DO35	в производстве	22V	±2%	-	150 Ohms	10nA @ 16.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4116C-1	Microsemi Corporation	DIODE 24V DO35	в производстве	24V	±2%	-	150 Ohms	10nA @ 18.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4117C-1	Microsemi Corporation	DIODE 25V DO35	в производстве	25V	±5%	-	150 Ohms	10nA @ 19V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4118C-1	Microsemi Corporation	DIODE 27V DO35	в производстве	27V	±2%	-	150 Ohms	10nA @ 20.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4119C-1	Microsemi Corporation	DIODE 28V DO35	в производстве	28V	±2%	-	200 Ohms	10nA @ 21.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4120C-1	Microsemi Corporation	DIODE 30V DO35	в производстве	30V	±2%	-	200 Ohms	10nA @ 22.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4121C-1	Microsemi Corporation	DIODE 33V DO35	в производстве	33V	±2%	-	200 Ohms	10nA @ 25.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4122C-1	Microsemi Corporation	DIODE 36V DO35	в производстве	36V	±2%	-	200 Ohms	10nA @ 27.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4123C-1	Microsemi Corporation	DIODE 39V DO35	в производстве	39V	±2%	-	200 Ohms	10nA @ 29.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4124C-1	Microsemi Corporation	DIODE 43V DO35	в производстве	43V	±2%	-	250 Ohms	10nA @ 32.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4125C-1	Microsemi Corporation	DIODE 47V DO35	в производстве	47V	±2%	-	250 Ohms	10nA @ 35.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4126C-1	Microsemi Corporation	DIODE 51V DO35	в производстве	51V	±2%	-	300 Ohms	10nA @ 38.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4127C-1	Microsemi Corporation	DIODE 56V DO35	в производстве	56V	±2%	-	300 Ohms	10nA @ 42.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4128C-1	Microsemi Corporation	DIODE 60V DO35	в производстве	60V	±2%	-	400 Ohms	10nA @ 45.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4129C-1	Microsemi Corporation	DIODE 62V DO35	в производстве	62V	±2%	-	500 Ohms	10nA @ 47.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4130C-1	Microsemi Corporation	DIODE 68V DO35	в производстве	68V	±2%	-	700 Ohms	10nA @ 51.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4131C-1	Microsemi Corporation	DIODE 75V DO35	в производстве	75V	±2%	-	700 Ohms	10nA @ 57V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный