DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMN1150UFB-7B |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Количество на складе | 35450 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | DMN1150UFB-7B.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMN1150UFB-7B в течение 24 часов.
- номер части
- DMN1150UFB-7B
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 12V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.41A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 150 mOhm @ 1A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 1.5nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±6V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 106pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 500mW (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 3-DFN1006 (1.0x0.6)
- Упаковка / чехол
- 3-UFDFN
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- DMN1150UFB-7B
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
Связанные ключевые слова "DMN1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 |
| DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 |
| DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 |
| DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 |
| DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 |
| DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 |
| DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 |
| DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 |
| DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 |
| DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 |
| DMN1017UCP3-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010 |