EPC2100ENGRT EPC дистрибьютор
| Номер детали производителя | EPC2100ENGRT |
|---|---|
| Производитель / Марка | EPC |
| Количество на складе | 83040 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | EPC2100ENGRT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение EPC2100ENGRT в течение 24 часов.
- номер части
- EPC2100ENGRT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Функция FET
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 10A (Ta), 40A (Ta)
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
- Мощность - макс.
-
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- Die
- Пакет устройств поставщика
- Die
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- EPC2100ENGRT
Связанные компоненты сделаны EPC
Связанные ключевые слова "EPC2"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| EPC2 | ALTERA (INTEL) | SRAM-Based LUT Devices IC |
| EPC2-TC32 | ALTERA (INTEL) | EPC2-TC32 QFP IC |
| EPC2-TI32 | ALTERA (INTEL) | EPC2-TI32 Original IC |
| EPC2001 | EPC | TRANSISTOR GAN 100V 25A BUMPED DIE |
| EPC2001C | EPC | TRANSISTOR GAN 100V 36A BUMPED DIE |
| EPC2007 | EPC | TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE |
| EPC2007C | EPC | TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE |
| EPC2010 | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| EPC2010C | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 22A BUMPED DIE |
| EPC2012 | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 3A BUMPED DIE |
| EPC2012C | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| EPC2014 | EPC | TRANSISTOR GAN 40V 10A BUMPED DIE |