номер части

GP1M010A080N

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

900V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±30V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

2336pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

312W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-3PN

Упаковка / чехол

TO-3P-3, SC-65-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

GP1M010A080N