номер части

BSP299H6327XUSA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

500V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

400mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

400pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.8W (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

PG-SOT223-4

Упаковка / чехол

TO-261-4, TO-261AA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

BSP299H6327XUSA1