IPB06N03LAT Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB06N03LAT |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 68380 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPB06N03LAT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB06N03LAT в течение 24 часов.
- номер части
- IPB06N03LAT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 25V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 5.9 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 40µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 22nC @ 5V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2653pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 83W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-3-2
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPB06N03LAT
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 |
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 |