IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB60R165CPATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 39360 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPB60R165CPATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB60R165CPATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB60R165CPATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 21A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 165 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 790µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 52nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2000pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 192W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-3-2
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPB60R165CPATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB60"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 |
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 |
| IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3 |
| IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 |
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 |
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |