IRF5305STRRPBF Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IRF5305STRRPBF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 20500 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IRF5305STRRPBF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IRF5305STRRPBF в течение 24 часов.
- номер части
- IRF5305STRRPBF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 55V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 60 mOhm @ 16A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 63nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1200pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3.8W (Ta), 110W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- D2PAK
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IRF5305STRRPBF
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IRF5"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF50N05 | HARRIS | IRF50N05 HARRIS IC TO-3P |
| IRF50N06 | HARRIS | IRF50N06 HARRIS IC TO-3P |
| IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510-513 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V IC |
| IRF510-VI | VISHAY | IRF510-VI original vishay components |
| IRF510A | FAIRCHILD | Advanced Power MOSFET IC |
| IRF510A-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF510H605 | HARRIS | IRF510H605 HARRIS IC ORIGINAL |
| IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 |
| IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510PBF-VI | VISHAY | IRF510PBF-VI original vishay components |
| IRF510R4941 | FAIRCHILD | IRF510R4941 FAIRCHILD IC Original |