номер части

IRF6798MTR1PBF

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

25V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

37A (Ta), 197A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

6560pF @ 13V

Функция FET

Schottky Diode (Body)

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

DIRECTFET™ MX

Упаковка / чехол

DirectFET™ Isometric MX

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IRF6798MTR1PBF