номер части

IRFH6200TRPBF

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

49A (Ta), 100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 150µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±12V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

10890pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

PQFN (5x6)

Упаковка / чехол

8-PowerVDFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IRFH6200TRPBF