номер части

IXTD4N80P-3J

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

800V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±30V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

750pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

100W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

Die

Упаковка / чехол

Die

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IXTD4N80P-3J