номер части

IXTT2N170D2

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

1700V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

2A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

110nC @ 5V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

3650pF @ 25V

Функция FET

Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.)

568W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

TO-268

Упаковка / чехол

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IXTT2N170D2