номер части

TP2510N8-G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

100V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

480mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

125pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.6W (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

TO-243AA (SOT-89)

Упаковка / чехол

TO-243AA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

TP2510N8-G