MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C MICRON дистрибьютор
| Номер детали производителя | MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C |
|---|---|
| Производитель / Марка | MICRON |
| Количество на складе | 30470 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MT29E512G08CKCCBH7-6ESC NX658 MICRON Memory IC |
| Категория продукта | Микросхема памяти MICRON |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C в течение 24 часов.
- номер части
- MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- упаковка / Case
- NX658
- Серии
- MT29E512G
- Страна происхождения
- contact us
- Состояние детали
- available
- Memory Тип
- -
- Memory Format
- -
- Технологии
- Memory
- Memory Size
- -
- Тактовая частота
- -
- Write Cycle Time
- -
- Access Time
- -
- Memory Интерфейс
- -
- Voltage - Supply
- -
- Характерная чертаs
- -
- Рабочая Температура
- Contact us
- упаковка
- Reel or tube
- Комплект поставки устройства
- -
- Другая часть номер
- MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT29E512G08CKCCBH7-6ES:C
Связанные компоненты сделаны MICRON
Связанные ключевые слова "MT29E512"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MT29E512G08CEHBBJ4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B | MICRON | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B NX771 MICRON Memory IC |
| MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| MT29E512G08CKCBBH7-10:B | MICRON | MT29E512G08CKCBBH7-10:B NW672 MICRON Memory IC |
| MT29E512G08CKCBBH7-10ES:B | MICRON | MT29E512G08CKCBBH7-10ES:B NX596 MICRON Memory IC |
| MT29E512G08CKCBBH7-6:B | MICRON | MT29E512G08CKCBBH7-6:B NW585 MICRON Memory IC |
| MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ |
| MT29E512G08CKCBBH7-6ES:B | MICRON | MT29E512G08CKCBBH7-6ES:B NX524 MICRON Memory IC |
| MT29E512G08CKCCBH7-6 | MICRON | MLC NAND Flash IC |
| MT29E512G08CKCCBH7-6:C | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ |
| MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ |