MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Micron Technology Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E |
|---|---|
| Производитель / Марка | Micron Technology Inc. |
| Количество на складе | 80610 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E в течение 24 часов.
- номер части
- MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип памяти
- Volatile
- Формат памяти
- DRAM
- Технологии
- SDRAM - Mobile LPDDR4
- Размер памяти
- 32Gb (512M x 64)
- Частота часов
- 2133MHz
- Время цикла записи - слово, страница
-
- Время доступа
-
- Интерфейс памяти
-
- Напряжение - Поставка
- 1.1V
- Рабочая Температура
- -30°C ~ 85°C (TC)
- Тип монтажа
-
- Упаковка / чехол
-
- Пакет устройств поставщика
-
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.
Связанные ключевые слова "MT53D512M"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MT53D512M16D1Z11MWC2 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53D512M16D1Z11MWC2 ES | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 AIT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 AUT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ |
| MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D | MICRON | IC SDRAM LPDDR4 16GBIT 512MX32 F |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D TR | MICRON | IC SDRAM LPDDR4 16GBIT 512MX32 F |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ |