NAND08GW3F2AN6E Micron Technology Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | NAND08GW3F2AN6E |
|---|---|
| Производитель / Марка | Micron Technology Inc. |
| Количество на складе | 16020 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | NAND08GW3F2AN6E.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NAND08GW3F2AN6E в течение 24 часов.
- номер части
- NAND08GW3F2AN6E
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип памяти
- Non-Volatile
- Формат памяти
- FLASH
- Технологии
- FLASH - NAND
- Размер памяти
- 8Gb (1G x 8)
- Частота часов
-
- Время цикла записи - слово, страница
- 25ns
- Время доступа
- 25ns
- Интерфейс памяти
- Parallel
- Напряжение - Поставка
- 2.7 V ~ 3.6 V
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 85°C (TA)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Пакет устройств поставщика
- 48-TSOP
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- NAND08GW3F2AN6E
Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.
Связанные ключевые слова "NAND0"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NAND0128W3ADAN7 | STMicroelectronics | NAND0128W3ADAN7 STM IC QFP |
| NAND016GW3C4BN6 | STMicroelectronics | NAND016GW3C4BN6 STM IC TSOP |
| NAND016W3B2AN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2AN6 STM IC TSOP |
| NAND016W3B2AZA6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2AZA6 STM IC BGA |
| NAND016W3B2BN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2BN6 STM IC TSSOP |
| NAND016W3B2CN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2CN6 STM IC ORIGINAL |
| NAND01DW382AN6E | STMicroelectronics | NAND01DW382AN6E STM IC TSOP |
| NAND01G-B | STMicroelectronics | 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC |
| NAND01G-B2B | STMicroelectronics | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC |
| NAND01G-M | STMicroelectronics | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP IC |
| NAND01G-N | STMicroelectronics | 1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package IC |
| NAND01GA3BZA6F | STMicroelectronics | NAND01GA3BZA6F STM IC BGA |