NAND16GW3D2BN6E Micron Technology Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | NAND16GW3D2BN6E |
|---|---|
| Производитель / Марка | Micron Technology Inc. |
| Количество на складе | 32650 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | NAND16GW3D2BN6E.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NAND16GW3D2BN6E в течение 24 часов.
- номер части
- NAND16GW3D2BN6E
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип памяти
- Non-Volatile
- Формат памяти
- FLASH
- Технологии
- FLASH - NAND
- Размер памяти
- 16Gb (2G x 8)
- Частота часов
-
- Время цикла записи - слово, страница
- 25ns
- Время доступа
- 25ns
- Интерфейс памяти
- Parallel
- Напряжение - Поставка
- 2.7 V ~ 3.6 V
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 85°C (TA)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Пакет устройств поставщика
- 48-TSOP
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- NAND16GW3D2BN6E
Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.
Связанные ключевые слова "NAND1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NAND114APA5MZA5E | STMicroelectronics | NAND114APA5MZA5E STM IC BGA |
| NAND114AQA5MZA5E | STMicroelectronics | NAND114AQA5MZA5E STM IC BGA |
| NAND128F3UOAZB1E | STMicroelectronics | NAND128F3UOAZB1E STM IC BGA |
| NAND128R3A | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN1E | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN1F | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN1T | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN6E | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN6F | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AN6T | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AV1E | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |
| NAND128R3A0AV1F | STMicroelectronics | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC |