APT106N60B2C6 Microsemi Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | APT106N60B2C6 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Microsemi Corporation |
| Количество на складе | 84360 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | APT106N60B2C6.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APT106N60B2C6 в течение 24 часов.
- номер части
- APT106N60B2C6
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 106A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 35 mOhm @ 53A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 3.4mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 308nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 8390pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 833W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- T-MAX™ [B2]
- Упаковка / чехол
- TO-247-3 Variant
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- APT106N60B2C6
Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation
Связанные ключевые слова "APT1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD |
| APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD |
| APT1001RBVRX | PHILIPS NXP | Original NXP PHILIPS APT1001RBVRX IC |
| APT1002 | IXYS | Original IXYS APT1002 IC |
| APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 |
| APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 |
| APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD |
| APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX |
| APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 |
| APT10035LLLG | ALTERA (INTEL) | APT10035LLLG IC IC |
| APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 |
| APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 |