Номер детали производителяAPT64GA90B2D30
Производитель / МаркаMicrosemi Corporation
Количество на складе61400 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT 900V 117A 500W TO-247
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Single
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию APT64GA90B2D30.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APT64GA90B2D30 в течение 24 часов.

номер части
APT64GA90B2D30
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
900V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
117A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)
193A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 38A
Мощность - макс.
500W
Энергия переключения
1192µJ (on), 1088µJ (off)
Тип ввода
Standard
Ворота затвора
162nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C
18ns/131ns
Условия тестирования
600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)
-
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Упаковка / чехол
TO-247-3 Variant
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
APT64GA90B2D30

Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation

Связанные ключевые слова "APT6"

номер части производитель Описание
APT6017LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
APT6030BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
APT6040BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT6040BNG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT6070 IXYS TO-3P IXYS APT6070 IC
APT60D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
APT60D100LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3
APT60D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
APT60D120SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3
APT60D20BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 60A TO247
APT60D20LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264