номер части

PMPB23XNE,115

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±12V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

1136pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

DFN2020MD-6

Упаковка / чехол

6-UDFN Exposed Pad

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

PMPB23XNE,115