номер части

PMZB600UNEYL

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

600mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

21.3pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

DFN1006B-3

Упаковка / чехол

3-XFDFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

PMZB600UNEYL