номер части

PQMD12Z

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип транзистора

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Ток - коллектор (Ic) (макс.)

100mA

Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)

50V

Resistor - Base (R1)

47 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Ток - отсечка коллектора (макс.)

100nA (ICBO)

Частота - переход

230MHz, 180MHz

Мощность - макс.

350mW

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Упаковка / чехол

6-XFDFN Exposed Pad

Пакет устройств поставщика

DFN1010B-6

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

PQMD12Z