PMGD400UN,115 NXP USA Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | PMGD400UN,115 |
|---|---|
| Производитель / Марка | NXP USA Inc. |
| Количество на складе | 77760 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | PMGD400UN,115.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение PMGD400UN,115 в течение 24 часов.
- номер части
- PMGD400UN,115
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 710mA
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 480 mOhm @ 200mA, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 0.89nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 43pF @ 25V
- Мощность - макс.
- 410mW
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Пакет устройств поставщика
- 6-TSSOP
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- PMGD400UN,115
Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.
Связанные ключевые слова "PMGD"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP |
| PMGD280UN | PHILIPS NXP | Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET IC |
| PMGD280UN 115 | NXP | SMD DIP NXP PMGD280UN 115 IC |
| PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP |
| PMGD280UN.115 | PHILIPS NXP | Original NXP PHILIPS PMGD280UN.115 IC |
| PMGD290UCEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP |
| PMGD290XN | PHILIPS NXP | Dual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET IC |
| PMGD290XN+115 | NXP | SOT-23-6 NXP PMGD290XN+115 IC |
| PMGD290XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
| PMGD290XN115 | NXP | SOT363 NXP PMGD290XN115 IC |
| PMGD370XN | PHILIPS NXP | Dual N-channel mTrenchMOS-TM extremely low level FET IC |
| PMGD370XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP |