pdtb123yt.215 NXP дистрибьютор
| Номер детали производителя | pdtb123yt.215 |
|---|---|
| Производитель / Марка | NXP |
| Количество на складе | 91100 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | Original NXP pdtb123yt.215 IC |
| Категория продукта | NXP IC |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | pdtb123yt.215.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение pdtb123yt.215 в течение 24 часов.
- номер части
- pdtb123yt.215
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Пакет / Дело
- Original
- Серии
- pdtb1
- Страна происхождения
- Contact us
- Состояние детали
- available
- Тип
- -
- Основной процессор
- -
- RAM Size
- -
- Характерная черта
- -
- Format
- -
- Напряжение питания
- -
- Текущая поставка
- -
- Рабочая Температура
- Contact us
- упаковка
- Reel or tube
- Комплект поставки устройства
- -
- Другая часть номер
- NXP-pdtb123yt.215
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- pdtb123yt.215
Связанные компоненты сделаны NXP
.jpg "SC68376BAVAB25")
Связанные ключевые слова "pdtb"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| PDTB113E | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113EK | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 3DFN |
| PDTB113ES | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| PDTB113ET | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| PDTB113EUF | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.425W |
| PDTB113EUX | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.425W |
| PDTB113Z | PHILIPS NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped Transistors |
| PDTB113ZK | NXP | Original NXP PDTB113ZK IC |
| PDTB113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 3DFN |