номер части

BS108G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

200V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

250mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 2.8V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

150pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

350mW (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-92-3

Упаковка / чехол

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

BS108G