FDB12N50FTM-WS ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | FDB12N50FTM-WS |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Количество на складе | 61010 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | FDB12N50FTM-WS.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение FDB12N50FTM-WS в течение 24 часов.
- номер части
- FDB12N50FTM-WS
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 500V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 11.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 700 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1395pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 165W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- FDB12N50FTM-WS
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "FDB1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| FDB100AN06A0 | FAIRCHILD | FDB100AN06A0 FAIRCHILD IC TO-263(D2PAK) |
| FDB100AN06AO | FAIRCHILD | FDB100AN06AO FAIRCHILD IC TO-263 |
| FDB10AN06A0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB |
| FDB10AN06A0-NL | FAIRCHILD | FDB10AN06A0-NL FAIRCHILD IC Original |
| FDB10AN06AO | FAIRCHILD | FDB10AN06AO FAIRCHILD IC TO-263 |
| FDB10AN06AO-NL | FAIRCHILD | FDB10AN06AO-NL FAIRCHILD IC TO-263 |
| FDB10N20C | FAIRCHILD | FDB10N20C FAIRCHILD IC TO-263 |
| FDB10N20L | FAIRCHILD | FDB10N20L FAIRCHILD IC to-263d2-pak |
| FDB110N15A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK |
| FDB11P06 | FAIRCHILD | FDB11P06 FAIRCHILD IC TO-263 |
| FDB120N10 | ON Semiconductor | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK |
| FDB12N50 | FAIRCHILD | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ IC |