номер части

FDMS86163P

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

100V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±25V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

4085pF @ 50V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

8-PQFN (5x6)

Упаковка / чехол

8-PowerTDFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

FDMS86163P