номер части

FQI8P10TU

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

100V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

530 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±30V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

470pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.75W (Ta), 65W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / чехол

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

FQI8P10TU