RFD3055LESM ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | RFD3055LESM |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Количество на складе | 76080 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | RFD3055LESM.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RFD3055LESM в течение 24 часов.
- номер части
- RFD3055LESM
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 107 mOhm @ 8A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 11.3nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±16V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 350pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 38W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- TO-252AA
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RFD3055LESM
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "RFD"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RFD08P05SM | HARRIS | RFD08P05SM HARRIS IC ORIGINAL |
| RFD10N05 | INTERSIL | RFD10N05 INTERSIL IC TO-252 |
| RFD10N05SM | INTERSIL | RFD10N05SM INTERSIL IC TO-252 |
| RFD10P03 | HARRIS | RFD10P03 HARRIS IC TO252 |
| RFD10P03L | INTERSIL | 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET IC |
| RFD10P03L @@@@@ | HARRIS | RFD10P03L @@@@@ HARRIS IC TO-252 |
| RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA |
| RFD10P03LSM9A | HARRIS | 10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET IC |
| RFD10P03LSM9A(FDD5614P) | FAIRCHILD | RFD10P03LSM9A(FDD5614P) FAIRCHILD IC Original |
| RFD10P03SM | FAIRCHILD | RFD10P03SM FAIRCHILD IC TO-251252 |
| RFD10P05 | INTERSIL | RFD10P05 INTERSIL IC SOT252 |
| RFD10P06 | FAIRCHILD | RFD10P06 FAIRCHILD IC TO-251252 |