номер части

XN0NE9200L

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

12V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

1.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 800mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±15V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

-

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

600mW (Ta)

Рабочая Температура

125°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

Mini5-G1

Упаковка / чехол

SC-74A, SOT-753

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

XN0NE9200L