номер части

RJK60S7DPK-M0#T0

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

600V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Макс.)

+30V, -20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

2300pF @ 25V

Функция FET

Super Junction

Рассеиваемая мощность (макс.)

227.2W (Tc)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-3PSG

Упаковка / чехол

TO-3P-3, SC-65-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RJK60S7DPK-M0#T0