номер части

R6009KNX

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

600V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

535 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

540pF @ 25V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

48W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-220FM

Упаковка / чехол

TO-220-3 Full Pack

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

R6009KNX