номер части

RT1C060UNTR

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±10V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

870pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

650mW (Ta)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

8-TSST

Упаковка / чехол

8-SMD, Flat Lead

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RT1C060UNTR