номер части

STR1P2UH7

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

1.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

510pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

350mW (Tc)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

SOT-23

Упаковка / чехол

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

STR1P2UH7