2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | 2SJ380(F) |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 75490 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | 2SJ380(F).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение 2SJ380(F) в течение 24 часов.
- номер части
- 2SJ380(F)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 12A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 210 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 48nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1100pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 35W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220NIS
- Упаковка / чехол
- TO-220-3 Full Pack
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- 2SJ380(F)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "2SJ"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| 2SJ01630RL | Panasonic Electronic Components | JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3 |
| 2SJ01640RA | Panasonic Electronic Components | JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1 |
| 2SJ03640QL | Panasonic Electronic Components | JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P |
| 2SJ053600L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P |
| 2SJ0536G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 |
| 2SJ058200L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 |
| 2SJ067400L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 |
| 2SJ0674G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 |
| 2SJ105GR | VISHAY | 2SJ105GR original vishay components |
| 2SJ107 | Silicon Labs | Original SILICON 2SJ107 IC |
| 2SJ107-TR1-E3 | VISHAY | 2SJ107-TR1-E3 original vishay components |
| 2SJ107A | VISHAY | 2SJ107A original vishay components |